صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
IX2R11M6T/R
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-IX2R11M6T/R |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | IX2R11M6T/R |
| الصانع / علامة تجارية: | IXYS Corporation |
| وصف مختصر: | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | New and unused, Original |
| تنزيل ورقة البيانات: | IX2R11 |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
IX2R11M6T/R
في المخزن: 89973 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 89973 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| الجهد - توريد | 10 V ~ 35 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة | 16-MLP (7x6) |
| سلسلة | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 8ns, 7ns |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 16-VDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال | 2 |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم | IX2R11M6T/R |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 6V, 9.5V |
| نوع المدخلات | Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 500V |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET |
| وصف موسع | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-MLP (7x6) |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge |
| وصف | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 2A, 2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent |
الآخرين
| باقة قياسية | 3,000 |
|---|
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
IX2D11S7T/RIXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOICرأيتحقيق -
IX2B11S7T/RIXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOICرأيتحقيق -
IX2R11S3T/RIXYSIC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOICتحميلرأيتحقيق -
IX2B11P7IXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIPرأيتحقيق -
IX2R11P7IXYSIC DRVR HALF BRIDGE 2A 14DIPتحميلرأيتحقيق -
IX2D84ORIGINALNew Stocks IX2D84 ORIGINAL SMD or Through Holeرأيتحقيق -
IX2C11S1IXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOICرأيتحقيق -
IX2D11P7IXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIPرأيتحقيق -
IX2A11S1T/RIXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOICرأيتحقيق -
IX2B11S7IXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOICرأيتحقيق -
IX2C11P1IXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIPرأيتحقيق -
IX2R11IXYS2A Half-Bridge Driver ICرأيتحقيق -
IX2R11S3IXYSIC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOICتحميلرأيتحقيق -
IX2R1P7IXYSIX2R1P7 DIP-14 Original Package Stockرأيتحقيق -
IX2D11S7IXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOICرأيتحقيق -
IX2A11S1IXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOICرأيتحقيق -
IX2R11M6IXYSIC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLPتحميلرأيتحقيق -
IX2C11S1T/RIXYSIC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOICرأيتحقيق -
IX2N3741MOTOIX2N3741 TO-66 Original Package Stockرأيتحقيق -
IX2A11SIXYSIX2A11S SOP-8 Original Package Stockرأيتحقيق
الموزع من IXYS
- قسم IXYS للدوائر المتكاملة ، شركة Clare السابقة ، وهي شركة IXYS ، تصمم وتصنع وتسوق الدوائر المتكاملة ذات الجهد العالي (ICs) وعزلات الحالة الصلبة المعزولة بصريًا (OptoMOS®) للاتصالات والصناعة والطاقة والاستهلاك الأسواق.
وباعتبارها رائدة في تطوير أنظمة التبديلات الصلبة (SSRs) ، فقد أصبحت موردًا رائدًا في مجال الاتصالات والأمن وقياس المرافق وصناعات التحكم الصناعية. IXYS Integrated Circuits Division تحل حلول SSR بسرعة محل الأجهزة الكهروميكانيكية القديمة في العديد من التطبيقات وتعزز الأداء العام للنظام. استمروا في تطوير منتجات القيادة التي توفر مستويات أعلى من التكامل والأداء الكهربائي.