صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
NAND512W3A2BZA6E
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-NAND512W3A2BZA6E |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | NAND512W3A2BZA6E |
| الصانع / علامة تجارية: | STMicroelectronics |
| وصف مختصر: | IC FLASH 512MBIT 50NS 63VFBGA |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | New and unused, Original |
| تنزيل ورقة البيانات: | NAND128/256/512/01G-A (V7.0) |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
NAND512W3A2BZA6E
في المخزن: 62155 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 62155 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| الجهد - توريد | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة | 63-VFBGA (8.5x15) |
| سرعة | - |
| سلسلة | - |
| التعبئة والتغليف | Tray |
| حزمة / كيس | 63-VFBGA |
| اسماء اخرى | 497-5041 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة | 512Mb (64M x 8) |
| تنسيق الذاكرة | FLASH |
| الصانع الجزء رقم | NAND512W3A2BZA6E |
| السطح البيني | Parallel |
| وصف | IC FLASH 512MBIT 50NS 63VFBGA |
الآخرين
| باقة قياسية | 1,260 |
|---|---|
| اسماء اخرى | 497-5041 |
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
NAND512W3A2BV6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZB1ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZB6ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZB1STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA1STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BV6ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BV6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZB1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZB6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BV6TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA6E//NAND512W3A2BZA6FNumonyxNAND512W3A2BZA6E//NAND512W3A2BZA6F Numonyx SMD or Through Hole New in stockرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA1FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZB1FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA6TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZB6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BV1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND512W3A2BZA1ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق
الموزع من STMicroelectronics
- واجهة العاصفة - هدف الشركة: تطوير وتصنيع وتسويق أجهزة إدخال البيانات القوية والمتجاوبة للاستخدام في مجموعة واسعة من التطبيقات الصناعية والعامة.
تأسست Keymat Technology Ltd. في مارس 1986 كشركة مسجلة خاصة في المملكة المتحدة. يقع مقرها الرئيسي في مبانيها للتملك الحر ، غرب لندن ، على بعد أربعة أميال فقط شمال مطار هيثرو. يقع قسم إنتاج الشركة "Storm Manufacturing" في مالدون ، على الساحل الشرقي لإنجلترا ، ويقع قسم مبيعاتها في أمريكا الشمالية في غلين إيلين ، إلينوي خارج شيكاغو مباشرةً.
يتم حماية تقنيات التحويل الأساسية التي طورتها الشركة بواسطة براءات الاختراع الدولية وتطبيقات البراءات. يستمر تطوير هذه التقنيات وإدماجها في منتجات جديدة ومبتكرة لزيادة وتكامل مجموعة المنتجات القائمة.
مكنت إستراتيجية التطوير المستمر هذه الشركة من تسويق نطاق أوسع من منتجات إدخال البيانات تحت علامة تجارية قوية واحدة "STORM". هذه هي منتجات العلامة التجارية الفاخرة التي تعكس المعايير الهندسية والأداء الصارمة المطلوبة في بيئات اليوم العسكرية والطبية والصناعية والعامة.