تسجيل الدخول | إنشيء حسابيالبريد الإلكتروني: [email protected] SKYPE: EXSHINEالحساب | الخروج
تغيير الدولة
غير اللغة

اختار اللغة

English简体中文русский한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesia
إلغاء
عربة التسوق
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف > HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F-GR(TE85L,F

صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور

HN3C51F-GR(TE85L,F

EXSHINE رقم القطعة:EX-HN3C51F-GR(TE85L,F
الصانع رقم القطعة:HN3C51F-GR(TE85L,F
الصانع / علامة تجارية:Toshiba Semiconductor and Storage
وصف مختصر:TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
شرط:New and unused, Original
تنزيل ورقة البيانات:HN3C51F
تطبيق:-
وزن:-
الاستبدال البديل:-
توفر الوقت الحقيقي ل
HN3C51F-GR(TE85L,F
في المخزن: 72164 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع

انقر أدناه لطلب HN3C51F-GR(TE85L,F عبر الإنترنت

US$ 0

سعر التسويق المرجعي: N/A

أفضل الأسعار لدينا: N/A (Email us)

الحد الأدنى:1

مضاعفات:1

طلب للحصول على سعر أفضل >
  • وصف
  • دفع
  • الشحن
  • التعبئة والتغليف

معلمة المنتج

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) 120V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم 300mV @ 1mA, 10mA
نوع الترانزستور 2 NPN (Dual)
تجار الأجهزة حزمة SM6
سلسلة -
السلطة - ماكس 300mW
التعبئة والتغليف Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس SC-74, SOT-457
اسماء اخرى HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
تصاعد نوع Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل) 1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم HN3C51F-GR(TE85L,F
تردد - تحول 100MHz
وصف موسع Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
وصف TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE 200 @ 2mA, 6V
الحالي - جامع القطع (ماكس) 100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس) 100mA

الآخرين

اسماء اخرى HN3C51F-GR(TE85L,F)

HN3C51F-GR(TE85LF)TR

HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND

HN3C51F-GR(TE85LFTR

HN3C51F-GRTE85LF

HN3C51FGR(TE85LFTR

HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
باقة قياسية 3,000

يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.

 T / T (تحويل مصرفي)
 الاستلام: 1-4 أيام.

 باي بال
 الاستلام: فورًا.

 الاتحاد الغربي
 الاستلام: 1-2 ساعات.

 موني جرام
 الاستلام: 1-2 ساعات.

 Alipay
 الاستلام: فورًا.

يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 دي إتش إل إكسبرس
 وقت التسليم: 1-3 أيام.
 فيديكس اكسبريس
 وقت التسليم: 1-3 أيام.
 UPS صريحة
 وقت التسليم: 2-4 أيام.
 TNT EXPRESS
 وقت التسليم: 3-6 أيام.
 EMS صريحة
 وقت التسليم: 7-10 أيام.

المنتجات ذات الصلة

صورة مبدعين رقم الجزء مصنعين وصف مختصر ورقة البيانات في المخزن سعر السلعة اطلب عبر الإنترنت
HN3C61 TOSHIBA HN3C61 SSOP6 Original Package Stock رأي   تحقيق
HN3C6F TOSHIBA HN3C6F SMD or Through Hole Original Package Stock رأي   تحقيق
HN3C51F NOPB TOSHIBA HN3C51F NOPB TOSHIBA SOT163 New in stock رأي   تحقيق
HN3C61FU TOS HN3C61FU SOT23 Original Package Stock رأي   تحقيق
HN3C15FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC رأي   تحقيق
HN3C56 TOSHIBA HN3C56 TOSHIBA SSOP6 New in stock رأي   تحقيق
HN3C16FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC رأي   تحقيق
HN3C16FT TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC رأي   تحقيق
HN3C17FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC رأي   تحقيق
HN3C18FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC رأي   تحقيق
HN3C51F TOSHIBA HN3C51F TOSHIBA SC-74 New in stock رأي   تحقيق
HN3C51F-GR TOSHIBA HN3C51F-GR TOSHIBA SOT23-6 New in stock رأي   تحقيق
HN3C67FE TOSHIBA HN3C67FE SOT-563 Original Package Stock رأي   تحقيق
HN3C51F-BL(TE85L,F Image HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 تحميل رأي   تحقيق
HN3CO1F LRC HN3CO1F LRC SOP20W New in stock رأي   تحقيق
HN3G015-GR ORIGINAL HN3G015-GR ORIGINAL SMD or Through Hole New in stock رأي   تحقيق
HN3C18FT TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC رأي   تحقيق
HN3C56FU TOSHIBA HN3C56FU TOSHIBA SOT-363 New in stock رأي   تحقيق
HN3C66FU TOSHIBA HN3C66FU SMD or Through Hole Original Package Stock رأي   تحقيق
HN3G01 TOSHIBA N CHANNEL JUNCTION TYPE FET SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR IC رأي   تحقيق

الموزع من Toshiba Semiconductor and Storage

- تنتج شركة Touchstone Semiconductor حلول الدوائر المتكاملة التناظرية عالية الأداء (IC) التي تعمل على حل المشكلات الحرجة لشركات الإلكترونيات. تقدم منتجاتنا الاحتكارية مجموعة فريدة من الميزات والأداء التي لا يمكن العثور عليها في أي مكان آخر في السوق التناظرية. إن منتجاتنا من مصدر ثانٍ هي متوافقة مع الرقم القياسي ومواصفات مطابقة للعروض التنافسية ، مما يوفر بديلًا مثاليًا للمنتجات التي يصعب الحصول عليها من مصادر آمنة. تأسست "تاتشستون" في عام 2010 ، ويقع مقرها الرئيسي في ميلبيتاس بكاليفورنيا ، ويضم مستثمروها "أوبوس كابيتال" و "كوسلا فنتشرز".
مهمتنا في Touchstone Semiconductor هي تصميم نظام تمثيلي تناظري بارد وعالي الأداء يساعدك على حل مشاكل عملائك. نحن نقوم بذلك من خلال تطوير أجهزة IC التناظرية فائقة الأداء ذات الطاقة المنخفضة والتي تقلل من استهلاك الطاقة في منتجاتك.

كلمة البحث

  • Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
  • ورقة بيانات HN3C51F-GR(TE85L,F
  • ورقة بيانات HN3C51F-GR(TE85L,F
  • صفحة بيانات HN3C51F-GR(TE85L,F pdf
  • سعر HN3C51F-GR(TE85L,F
  • صورة HN3C51F-GR(TE85L,F
  • قم بشراء HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Toshiba HN3C51F-GR(TE85L,F
  • HN3C51F
  • HN3C5