صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
US6M11TR
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-US6M11TR |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | US6M11TR |
| الصانع / علامة تجارية: | LAPIS Semiconductor |
| وصف مختصر: | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | 1 |
| تنزيل ورقة البيانات: | US6M11 |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
US6M11TR
في المخزن: 34510000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 34510000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة | UMT6 |
| سلسلة | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس | 1W |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم | US6M11TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 110pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 1.8nC @ 4.5V |
| نوع FET | N and P-Channel |
| FET الميزة | Logic Level Gate |
| وصف موسع | Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V, 12V |
| وصف | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.5A, 1.3A |
الآخرين
| باقة قياسية | 3,000 |
|---|
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
US6KC-E3VISHAYUS6KC-E3 VISHAY DO-214AB New in stockرأيتحقيق -
US6M2ROHMUS6M2 ROHM sot363 New Original Stocksرأيتحقيق -
US6KC-13-FDIODESUS6KC-13-F DIODES DO-214AB New in stockرأيتحقيق -
US6KC-NLFAIRCHILDUS6KC-NL FAIRCHILD DO-214AB New in stockرأيتحقيق -
US6M2-P-NROHMUS6M2-P-N ROHM TUMT6 new date code and low priceرأيتحقيق -
US6M1_1ROHM4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFETرأيتحقيق -
US6M2 G3 TRROHMUS6M2 G3 TR ROHM SOT363 new date code and low priceرأيتحقيق -
US6KC-13ORIGINALUS6KC-13 ORIGINAL DO214AB New in stockرأيتحقيق -
US6M1ROHMUS6M1 ROHM sot363 New Original Stocksرأيتحقيق -
US6KC-TRFAIRUS6KC-TR FAIR DO214AB New in stockرأيتحقيق -
US6M2 GTRROHMUS6M2 GTR ROHM SMD new date code and low priceرأيتحقيق -
US6M11_09ROHM1.5V Drive Nch+Pch MOSFETرأيتحقيق -
US6M1 TRROHMUS6M1 TR ROHM SOT363 new date code and low priceرأيتحقيق -
US6M2/M02ROHMUS6M2/M02 ROHM SMD or Through Hole new date code and low priceرأيتحقيق -
US6M11rohmUS6M11 rohm SOT363 New Original Stocksرأيتحقيق -
US6M1TRRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6تحميلرأيUS$ 0.21تحقيق -
US6M2 TRROHMUS6M2 TR ROHM SOT-363 new date code and low priceرأيتحقيق -
US6M11 TRROHMUS6M11 TR ROHM SOT363 new date code and low priceرأيتحقيق -
US6M2-TRROHMUS6M2-TR ROHM 3000R new date code and low priceرأيتحقيق -
US6M1-P-NROHMUS6M1-P-N ROHM TUMT6 new date code and low priceرأيتحقيق
الموزع من Rohm Semiconductor
- شركة Teledyne LeCroy هي شركة رائدة في مجال توفير أجهزة تحليل الذبذبات وأجهزة تحليل البروتوكول وحلول الاختبار والقياس ذات الصلة التي تمكن الشركات عبر مجموعة واسعة من الصناعات من تصميم واختبار الأجهزة الإلكترونية من جميع الأنواع. منذ تأسيسنا في عام 1964 ، ركزنا على إنشاء منتجات تعمل على تحسين الإنتاجية من خلال مساعدة المهندسين على حل مشكلات التصميم بشكل أسرع وأكثر فعالية.