صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
BS12I-NICAD
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-BS12I-NICAD |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | BS12I-NICAD |
| الصانع / علامة تجارية: | MPD (Memory Protection Devices) |
| وصف مختصر: | NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | 1 |
| تنزيل ورقة البيانات: | BS12I-NICAD Drawing |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
BS12I-NICAD
في المخزن: 82218 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 82218 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| إنهاء نمط | Wire Leads - 12" (304.8mm) |
|---|---|
| نمط | Connector, Snap |
| سلسلة | - |
| اسماء اخرى | Q1984490 |
| درجة حرارة التشغيل | - |
| عدد الخلايا | 1 |
| تصاعد نوع | Free Hanging |
| الصانع الجزء رقم | BS12I-NICAD |
| ارتفاع المجلس فوق | - |
| وصف | NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY |
| نوع البطارية، وظيفة | 9V, Snap Connector |
| سلسلة البطارية | - |
| خلية البطارية الحجم | 9V |
الآخرين
| باقة قياسية | 100 |
|---|---|
| اسماء اخرى | Q1984490 |
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
BS1300N-ARUILONNew Stocks BS1300N-A RUILON SMD or Through Holeرأيتحقيق -
BS128HE8VAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flashرأيتحقيق -
BS12I-22MPD (Memory Protection Devices)9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADSتحميلرأيUS$ 0.541تحقيق -
BS12GRSABBS12GR SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق -
BS1300LRUILONNew Stocks BS1300L RUILON SMD or Through Holeرأيتحقيق -
BS12IMPD (Memory Protection Devices)SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLEتحميلرأيUS$ 0.377تحقيق -
BS12I-MCMPD (Memory Protection Devices)SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDEDتحميلرأيUS$ 0.541تحقيق -
BS128HE9VAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flashرأيتحقيق -
BS12I-HD-24AWGMPD (Memory Protection Devices)SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HDتحميلرأيUS$ 0.541تحقيق -
BS1300L-ARUILONNew Stocks BS1300L-A RUILON SMD or Through Holeرأيتحقيق -
BS1300KRUILONGBS1300K SMD Original Package Stockرأيتحقيق -
BS128HE9VFAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flashرأيتحقيق -
BS12T-MCMPD (Memory Protection Devices)9V SNAP T STYLE 12" WIRE W/COVERتحميلرأيUS$ 0.592تحقيق -
BS12TMPD (Memory Protection Devices)9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADSتحميلرأيUS$ 0.377تحقيق -
BS13/13-H05VVF3G100-C13/250 BLACKFELLERBS13/13-H05VVF3G100-C13/250 BLACK SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق -
BS128HD9VFAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flashرأيتحقيق -
BS1300NRUILONNew Stocks BS1300N RUILON SMD or Through Holeرأيتحقيق -
BS1300MRUILONNew Stocks BS1300M RUILON SMD or Through Holeرأيتحقيق -
BS12T-HDMPD (Memory Protection Devices)9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEADتحميلرأيUS$ 0.673تحقيق -
BS128HE8VFAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flashرأيتحقيق
الموزع من MPD (Memory Protection Devices)
- تقوم MEMSIC بتصميم وتصنيع أجهزة الاستشعار الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS) باستخدام عملية تصنيع الدوائر المتكاملة القياسية (IC). تجمع MEMSIC بين تقنية MEMS المستندة على أساس حراري ودوائر معالجة الإشارة المختلطة التناظرية المتقدمة في شريحة واحدة. وهذا يسمح لمركز MEMSIC بإنتاج مقياس تسارع عالي الأداء وجهاز MEMS آخر بتكلفة أقل بكثير من معظم العمليات التقليدية.