الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > TP2502N8-G
صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
TP2502N8-G
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-TP2502N8-G |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | TP2502N8-G |
| الصانع / علامة تجارية: | Microchip Technology |
| وصف مختصر: | MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3 |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | 1 |
| تنزيل ورقة البيانات: | TP2502 |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
TP2502N8-G
في المخزن: 79135000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 79135000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-243AA (SOT-89) |
| سلسلة | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.6W (Ta) |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | TO-243AA |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم | TP2502N8-G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 125pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | - |
| نوع FET | P-Channel |
| FET الميزة | - |
| وصف موسع | P-Channel 20V 630mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V |
| وصف | MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 630mA (Tj) |
الآخرين
| باقة قياسية | 2,000 |
|---|
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
TP250EXSHINE1.5 WATT and DUAL OUTPUT DC-DC CONVERTERSرأيتحقيق -
TP2502CTOPRONew Stocks TP2502C TOPRO SOPرأيتحقيق -
TP250NY-V2MegaChoiceNew Stocks TP250NY-V2 MegaChoice SMD or Through Holeرأيتحقيق -
TP249EXSHINE1.5 WATT and DUAL OUTPUT DC-DC CONVERTERSرأيتحقيق -
TP2504N8/TP5LSSupertexincTP2504N8/TP5LS SOT-89 Original Package Stockرأيتحقيق -
TP2501N8-GSUPERTEXNew Stocks TP2501N8-G SUPERTEX SOT89رأيتحقيق -
TP2504N8SUPERNew Stocks TP2504N8 SUPER SOT-89رأيتحقيق -
TP2504N8GSUPERTEXTP2504N8G SUPERTEX SMD or Through Hole New in stockرأيتحقيق -
TP2502NDSUTEXP-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs ICرأيتحقيق -
TP2510SUTEXLow Threshold P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs ICرأيتحقيق -
TP250FZKUNew Stocks TP250F ZKU SMD or Through Holeرأيتحقيق -
TP251ORIGINALNew Stocks TP251 ORIGINAL TO-92رأيتحقيق -
TP2510N8SUTEXP-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs ICرأيتحقيق -
TP2504N8-T1-E3VISHAYNew Stocks TP2504N8-T1-E3 VISHAY SOT-89رأيتحقيق -
TP2502SUTEXP-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs ICرأيتحقيق -
TP2502N8SUTEXP-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs ICرأيتحقيق -
TP2501N8SUPERTEXTP2501N8 SUPERTEX SMD or Through Hole new date code and low priceرأيتحقيق -
TP24P06TIXYSTP24P06T TO220-5 Original Package Stockرأيتحقيق -
TP247EXSHINE1.5 WATT and DUAL OUTPUT DC-DC CONVERTERSرأيتحقيق -
TP248EXSHINE1.5 WATT and DUAL OUTPUT DC-DC CONVERTERSرأيتحقيق
الموزع من Microchip Technology
- تأسست شركة Micro Commercial Components Corp. (MCC) في عام 1998 ، وهي مورد لأشباه الموصلات المتميزة عالية الجودة إلى الأسواق الاستهلاكية. وتشمل منتجات MCC الصمامات الثنائية والمعدلات والترانزستورات والدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ومنظمات الفولتية وأجهزة الحماية.