صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
NAND02GR3B2DZA6E
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-NAND02GR3B2DZA6E |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | NAND02GR3B2DZA6E |
| الصانع / علامة تجارية: | Micron Technology |
| وصف مختصر: | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | 1 |
| تنزيل ورقة البيانات: | NAND02GxxBxD |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
NAND02GR3B2DZA6E
في المخزن: 74796 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 74796 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| الجهد - توريد | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة | 63-VFBGA (9.5x12) |
| سرعة | - |
| سلسلة | - |
| التعبئة والتغليف | Tray |
| حزمة / كيس | 63-TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة | 2Gb (256M x 8) |
| تنسيق الذاكرة | FLASH |
| الصانع الجزء رقم | NAND02GR3B2DZA6E |
| السطح البيني | Parallel |
| وصف | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA |
الآخرين
| باقة قياسية | 1,260 |
|---|
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
NAND02GR4B2AN6STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DN6E-NMICRONNAND02GR3B2DN6E-N MICRON SMD or Through Hole New in stockرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DN6E-NUMONYXORIGINALNAND02GR3B2DN6E-NUMONYX ORIGINAL SMD or Through Hole New in stockرأيتحقيق -
NAND02GR3B2CZB6STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR4B2AZA1STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B2CZA6FSTMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B2CZB1STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DDI6STNew Stocks NAND02GR3B2DDI6 ST SMD or Through Holeرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DZA6NUMONYXNAND02GR3B2DZA6 NUMONYX BGA New in stockرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DNUMONYX2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories ICرأيتحقيق -
NAND02GR4B2AZA6STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DZA6FNUMONYX2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories ICرأيتحقيق -
NAND02GR4B2AZB1STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DZA6E-NMICRONNAND02GR3B2DZA6E-N MICRON SMD or Through Hole New in stockرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DN6FNUMONYX2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories ICرأيتحقيق -
NAND02GR4B2AN1STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR4B2AZB6STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT 48TSOPرأيتحقيق -
NAND02GR4BSTMICROELECTRONICS2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICرأيتحقيق -
NAND02GR3B8CZA6FSTNAND02GR3B8CZA6F ST BGA New Original Stocksرأيتحقيق
الموزع من Micron Technology Inc.
- تقدم شركة Microsemi Corporation (المدرجة في بورصة ناسداك: MSCC) محفظة شاملة من حلول أشباه الموصلات والحلول لنظام الطيران والدفاع والاتصالات ومركز البيانات والأسواق الصناعية. تشمل المنتجات الدوائر المتكاملة ذات الإشارات المتناظرة ذات الإشارات المتناوبة عالية الأداء والإشعاع ، و FPGA ، و SoCs و ASIC ؛ منتجات إدارة الطاقة ؛ أجهزة التوقيت والتزامن والحلول الزمنية الدقيقة ، مع وضع معيار العالم للوقت ؛ أجهزة معالجة الصوت حلول الترددات اللاسلكية مكونات منفصلة حلول التخزين والاتصالات للشركات ، والتقنيات الأمنية والمنتجات القابلة للتدوير المضادة للتدرج ؛ حلول إيثرنت موفرات طاقة Ethernet و midspans؛ وكذلك قدرات وخدمات التصميم المخصصة. يقع المقر الرئيسي لشركة Microsemi في Aliso Viejo ، بولاية كاليفورنيا ، ولديها ما يقرب من 4800 موظف حول العالم.