صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
NAND256W3A0BZA6E
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-NAND256W3A0BZA6E |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | NAND256W3A0BZA6E |
| الصانع / علامة تجارية: | Micron Technology |
| وصف مختصر: | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | New and unused, Original |
| تنزيل ورقة البيانات: | NAND256W3A0BZA6E |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
NAND256W3A0BZA6E
في المخزن: 97652 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 97652 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| الجهد - توريد | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة | 55-VFBGA (8x10) |
| سرعة | - |
| سلسلة | - |
| التعبئة والتغليف | Tray |
| حزمة / كيس | 55-TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة | 256Mb (32M x 8) |
| تنسيق الذاكرة | FLASH |
| الصانع الجزء رقم | NAND256W3A0BZA6E |
| السطح البيني | Parallel |
| وصف | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA |
الآخرين
| باقة قياسية | 1,518 |
|---|
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
NAND256W3A0BV6ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB6ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZA1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZA1ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB1ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB1FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB1STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BV6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZA1STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BV6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZB6TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BV1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BV6TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZA6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZA6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZA6TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق -
NAND256W3A0BZA1FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Iرأيتحقيق
الموزع من Micron Technology Inc.
- تقدم شركة Microsemi Corporation (المدرجة في بورصة ناسداك: MSCC) محفظة شاملة من حلول أشباه الموصلات والحلول لنظام الطيران والدفاع والاتصالات ومركز البيانات والأسواق الصناعية. تشمل المنتجات الدوائر المتكاملة ذات الإشارات المتناظرة ذات الإشارات المتناوبة عالية الأداء والإشعاع ، و FPGA ، و SoCs و ASIC ؛ منتجات إدارة الطاقة ؛ أجهزة التوقيت والتزامن والحلول الزمنية الدقيقة ، مع وضع معيار العالم للوقت ؛ أجهزة معالجة الصوت حلول الترددات اللاسلكية مكونات منفصلة حلول التخزين والاتصالات للشركات ، والتقنيات الأمنية والمنتجات القابلة للتدوير المضادة للتدرج ؛ حلول إيثرنت موفرات طاقة Ethernet و midspans؛ وكذلك قدرات وخدمات التصميم المخصصة. يقع المقر الرئيسي لشركة Microsemi في Aliso Viejo ، بولاية كاليفورنيا ، ولديها ما يقرب من 4800 موظف حول العالم.