تسجيل الدخول | إنشيء حسابيالبريد الإلكتروني: [email protected] SKYPE: EXSHINEالحساب | الخروج
تغيير الدولة
غير اللغة

اختار اللغة

English简体中文русский한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesia
إلغاء
عربة التسوق
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > RJL6013DPE-00#J3
RJL6013DPE-00#J3

صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور

RJL6013DPE-00#J3

EXSHINE رقم القطعة:EX-RJL6013DPE-00#J3
الصانع رقم القطعة:RJL6013DPE-00#J3
الصانع / علامة تجارية:Renesas Electronics America
وصف مختصر:MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
شرط:1
تنزيل ورقة البيانات:RJL6013DPE-00#J3
تطبيق:-
وزن:-
الاستبدال البديل:-
توفر الوقت الحقيقي ل
RJL6013DPE-00#J3
في المخزن: 72950 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع

انقر أدناه لطلب RJL6013DPE-00#J3 عبر الإنترنت

US$ 1.887

سعر التسويق المرجعي: US$ 1.887

أفضل الأسعار لدينا: N/A (Email us)

الحد الأدنى:1

مضاعفات:1

1000+:
$1.887
طلب للحصول على سعر أفضل >
  • وصف
  • دفع
  • الشحن
  • التعبئة والتغليف

معلمة المنتج

VGS (ال) (ماكس) @ إيد -
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة 4-LDPAK
سلسلة -
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS 810 mOhm @ 5.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس) 100W (Tc)
التعبئة والتغليف Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس SC-83
درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
تصاعد نوع Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل) 1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية 16 Weeks
الصانع الجزء رقم RJL6013DPE-00#J3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس 1400pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس 38nC @ 10V
نوع FET N-Channel
FET الميزة -
وصف موسع N-Channel 600V 11A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) 600V
وصف MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C 11A (Ta)

الآخرين

باقة قياسية 1,000

يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.

 T / T (تحويل مصرفي)
 الاستلام: 1-4 أيام.

 باي بال
 الاستلام: فورًا.

 الاتحاد الغربي
 الاستلام: 1-2 ساعات.

 موني جرام
 الاستلام: 1-2 ساعات.

 Alipay
 الاستلام: فورًا.

يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 دي إتش إل إكسبرس
 وقت التسليم: 1-3 أيام.
 فيديكس اكسبريس
 وقت التسليم: 1-3 أيام.
 UPS صريحة
 وقت التسليم: 2-4 أيام.
 TNT EXPRESS
 وقت التسليم: 3-6 أيام.
 EMS صريحة
 وقت التسليم: 7-10 أيام.

المنتجات ذات الصلة

صورة مبدعين رقم الجزء مصنعين وصف مختصر ورقة البيانات في المخزن سعر السلعة اطلب عبر الإنترنت
RJL6020 Renesas RJL6020 Renesas TO-3P new date code and low price رأي   تحقيق
RJL6012DPE-00#J3 Image RJL6012DPE-00#J3 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK تحميل رأي US$ 1.59 تحقيق
RJL6018DPK-00-T0 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL5020DPK-00-T0 RENESAS Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL6012DPE RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL6013DPP RENESAS Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL5020DPK-00#T0 Image RJL5020DPK-00#T0 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 500V 38A TO3P تحميل رأي US$ 7.93 تحقيق
RJL6013 Renesas RJL6013 Renesas TO-263 new date code and low price رأي   تحقيق
RJL6018DPK RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL6018 Renesas RJL6018 Renesas TO-3P new date code and low price رأي   تحقيق
RJL6012DPE-00-J3 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL6015DPK-00-T0 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL6013DPP-00-T2 RENESAS Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL5032DPP-M0 RENESAS RJL5032DPP-M0 RENESAS TO-220FL New in stock رأي   تحقيق
RJL6018DPK-00#T0 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 27A TO3P تحميل رأي US$ 6.81 تحقيق
RJL6015 Renesas RJL6015 Renesas TO-3P new date code and low price رأي   تحقيق
RJL6015DPK RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL5020DPK RENESAS Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching IC رأي   تحقيق
RJL6013DPE RENESAS RJL6013DPE RENESAS TO-263 new date code and low price رأي   تحقيق
RJL6012 Renesas RJL6012 Renesas TO-263 new date code and low price رأي   تحقيق

الموزع من Renesas Electronics America

- تقوم شركة RF Digital بتصنيع خط واسع من وحدات الإرسال اللاسلكية RF ، وحدات الاستقبال والاستقبال ، وهي مناسبة لكل أنواع التطبيقات تقريبًا. الوحدات المتكاملة متكاملة وجودة عالية وتكلفة منخفضة للاستفادة من أي تطبيق. يوفر خط إنتاج RFDuino مجموعة موسعة من الوحدات بما في ذلك أجهزة الاستشعار و USB ودروع proto وغيرها لاختبار بلوتوث منخفض الطاقة في بيئة نموذج التوصيل والتشغيل.

كلمة البحث

  • Renesas Electronics America RJL6013DPE-00#J3
  • ورقة بيانات RJL6013DPE-00#J3
  • ورقة بيانات RJL6013DPE-00#J3
  • صفحة بيانات RJL6013DPE-00#J3 pdf
  • سعر RJL6013DPE-00#J3
  • صورة RJL6013DPE-00#J3
  • قم بشراء RJL6013DPE-00#J3
  • Renesas Electronics America RJL6013DPE-00#J3
  • Renesas Technology Corp RJL6013DPE-00#J3
  • Renesas RJL6013DPE-00#J3
  • RJL6013DPE
  • RJL60