الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف > HN1B04FE-GR,LF
صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
HN1B04FE-GR,LF
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-HN1B04FE-GR,LF |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | HN1B04FE-GR,LF |
| الصانع / علامة تجارية: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| وصف مختصر: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | New and unused, Original |
| تنزيل ورقة البيانات: | HN1B04FE |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
HN1B04FE-GR,LF
في المخزن: 59075000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 59075000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 50V |
|---|---|
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم | 250mV @ 10mA, 100mA |
| نوع الترانزستور | NPN, PNP |
| تجار الأجهزة حزمة | ES6 |
| سلسلة | - |
| السلطة - ماكس | 100mW |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى | HN1B04FE-GR(5L,F,T HN1B04FE-GR(5LFTTR HN1B04FE-GR(5LFTTR-ND HN1B04FE-GR,LF(B HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GRLF(TTR HN1B04FE-GRLF(TTR-ND HN1B04FE-GRLFTR HN1B04FEGRLFTR HN1B04FEGRLFTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم | HN1B04FE-GR,LF |
| تردد - تحول | 80MHz |
| وصف موسع | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| وصف | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE | 200 @ 2mA, 6V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس) | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 150mA |
الآخرين
| باقة قياسية | 4,000 |
|---|---|
| اسماء اخرى | HN1B04FE-GR(5L,F,T HN1B04FE-GR(5LFTTR HN1B04FE-GR(5LFTTR-ND HN1B04FE-GR,LF(B HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GRLF(TTR HN1B04FE-GRLF(TTR-ND HN1B04FE-GRLFTR HN1B04FEGRLFTR HN1B04FEGRLFTR-ND |
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
HN1B04F TE85LTOSHIBANew Stocks HN1B04F TE85L TOSHIBA SOT23-6رأيتحقيق -
HN1B04FU-GR LFTTOSHIBANew Stocks HN1B04FU-GR LFT TOSHIBA SOT363رأيتحقيق -
HN1B04FU-GR 1DGTOSHN1B04FU-GR 1DG SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق -
HN1B04FETOSHIBAAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications ICرأيتحقيق -
HN1B04F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6تحميلرأيتحقيق -
HN1B01R-YORIGINALHN1B01R-Y SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق -
HN1B04FE -YTOSHIBAHN1B04FE -Y EMT6 Original Package Stockرأيتحقيق -
HN1B04FE(TR3S0NY.F) SOT463-1DG PB-FREETOSHIBAHN1B04FE(TR3S0NY.F) SOT463-1DG PB-FREE SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق -
HN1B04FU TEL:82766440TOSHIBANew Stocks HN1B04FU TEL:82766440 TOSHIBA SOT-363رأيتحقيق -
HN1B04FE-GRTOSHIBAHN1B04FE-GR SOT563 Original Package Stockرأيتحقيق -
HN1B04FUTOSHIBASilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ICرأيتحقيق -
HN1B04FE-GR(TE85LF)TOSHIBANew Stocks HN1B04FE-GR(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through Holeرأيتحقيق -
HN1B04FE-YTOSHIBANew Stocks HN1B04FE-Y TOSHIBA SMD or Through Holeرأيتحقيق -
HN1B04FU-GR(LTOSHN1B04FU-GR(L SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق -
HN1B04FTOSHIBASilicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ICرأيتحقيق -
HN1B04FE TR3SONY.F SOT563-1DG PB-FREETOSHIBAHN1B04FE TR3SONY.F SOT563-1DG PB-FREE TOSHIBA SMD New in stockرأيتحقيق -
HN1B04FU-GRTOSHN1B04FU-GR TOS SOT363 New Original Stocksرأيتحقيق -
HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageTRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6تحميلرأيUS$ 0.03تحقيق -
HN1B04FETPLR3TOSHIBANew Stocks HN1B04FETPLR3 TOSHIBA SOT363رأيتحقيق -
HN1B04FM-Y TE85LTOSNew Stocks HN1B04FM-Y TE85L TOS SOP-6رأيتحقيق
الموزع من Toshiba Semiconductor and Storage
- تنتج شركة Touchstone Semiconductor حلول الدوائر المتكاملة التناظرية عالية الأداء (IC) التي تعمل على حل المشكلات الحرجة لشركات الإلكترونيات. تقدم منتجاتنا الاحتكارية مجموعة فريدة من الميزات والأداء التي لا يمكن العثور عليها في أي مكان آخر في السوق التناظرية. إن منتجاتنا من مصدر ثانٍ هي متوافقة مع الرقم القياسي ومواصفات مطابقة للعروض التنافسية ، مما يوفر بديلًا مثاليًا للمنتجات التي يصعب الحصول عليها من مصادر آمنة. تأسست "تاتشستون" في عام 2010 ، ويقع مقرها الرئيسي في ميلبيتاس بكاليفورنيا ، ويضم مستثمروها "أوبوس كابيتال" و "كوسلا فنتشرز".
مهمتنا في Touchstone Semiconductor هي تصميم نظام تمثيلي تناظري بارد وعالي الأداء يساعدك على حل مشاكل عملائك. نحن نقوم بذلك من خلال تطوير أجهزة IC التناظرية فائقة الأداء ذات الطاقة المنخفضة والتي تقلل من استهلاك الطاقة في منتجاتك.