الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > TPH3R203NL,L1Q
صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
TPH3R203NL,L1Q
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-TPH3R203NL,L1Q |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | TPH3R203NL,L1Q |
| الصانع / علامة تجارية: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| وصف مختصر: | MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | New and unused, Original |
| تنزيل ورقة البيانات: | TPH3R203NL |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
TPH3R203NL,L1Q
في المخزن: 67127000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 67127000 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.3V @ 300µA |
|---|---|
| فغس (ماكس) | ±20V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP Advance (5x5) |
| سلسلة | U-MOSVIII-H |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.2 mOhm @ 23.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.6W (Ta), 44W (Tc) |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم | TPH3R203NL,L1Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2100pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 21nC @ 10V |
| نوع FET | N-Channel |
| FET الميزة | - |
| وصف موسع | N-Channel 30V 47A (Tc) 1.6W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V |
| وصف | MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
الآخرين
| باقة قياسية | 5,000 |
|---|---|
| اسماء اخرى | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR |
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 40V 92A TSONتحميلرأيUS$ 0.28تحقيق -
TPH3208LDGTransphormGAN FET 650V 20A PQFN88تحميلرأيUS$ 7.747تحقيق -
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORتحميلرأيUS$ 0.455تحقيق -
TPH3207WSTransphormGAN FET 650V 50A TO247تحميلرأيUS$ 23.724تحقيق -
TPH3208LSTransphormGAN FET 650V 20A PQFN88تحميلرأيUS$ 7.91تحقيق -
TPH3206PSTransphormGAN FET 600V 17A TO220تحميلرأيUS$ 6.364تحقيق -
TPH3206PSBTransphormGAN FET 650V 16A TO220رأيUS$ 6.445تحقيق -
TPH60R6ATOSHIBATPH60R6A TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockرأيتحقيق -
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 100V 60A SOP ADVتحميلرأيUS$ 1.242تحقيق -
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 150V 18A 8-SOPتحميلرأيUS$ 0.652تحقيق -
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADVتحميلرأيUS$ 0.839تحقيق -
TPH40R4TOSHIBANew Stocks TPH40R4 TOSHIBA SMD or Through Holeرأيتحقيق -
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 63A 8SOPتحميلرأيUS$ 0.379تحقيق -
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 80V 60A SOP ADVتحميلرأيUS$ 1.242تحقيق -
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 150V 9A 8SOPتحميلرأيUS$ 0.484تحقيق -
TPH3208LDTransphormGAN FET 650V 20A PQFN88تحميلرأيUS$ 7.91تحقيق -
TPH3208PSTransphormGAN FET 650V 20A TO220تحميلرأيUS$ 7.031تحقيق -
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADVتحميلرأيUS$ 0.689تحقيق -
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 250V 26A SOP8تحميلرأيUS$ 1.171تحقيق -
TPH3212PSTransphormGAN FET 650V 27A TO220تحميلرأيUS$ 11.23تحقيق
الموزع من Toshiba Semiconductor and Storage
- تنتج شركة Touchstone Semiconductor حلول الدوائر المتكاملة التناظرية عالية الأداء (IC) التي تعمل على حل المشكلات الحرجة لشركات الإلكترونيات. تقدم منتجاتنا الاحتكارية مجموعة فريدة من الميزات والأداء التي لا يمكن العثور عليها في أي مكان آخر في السوق التناظرية. إن منتجاتنا من مصدر ثانٍ هي متوافقة مع الرقم القياسي ومواصفات مطابقة للعروض التنافسية ، مما يوفر بديلًا مثاليًا للمنتجات التي يصعب الحصول عليها من مصادر آمنة. تأسست "تاتشستون" في عام 2010 ، ويقع مقرها الرئيسي في ميلبيتاس بكاليفورنيا ، ويضم مستثمروها "أوبوس كابيتال" و "كوسلا فنتشرز".
مهمتنا في Touchstone Semiconductor هي تصميم نظام تمثيلي تناظري بارد وعالي الأداء يساعدك على حل مشاكل عملائك. نحن نقوم بذلك من خلال تطوير أجهزة IC التناظرية فائقة الأداء ذات الطاقة المنخفضة والتي تقلل من استهلاك الطاقة في منتجاتك.