الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > GAP3SLT33-214
صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
GAP3SLT33-214
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-GAP3SLT33-214 |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | GAP3SLT33-214 |
| الصانع / علامة تجارية: | GeneSiC Semiconductor |
| وصف مختصر: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | 1 |
| تنزيل ورقة البيانات: | GAP3SLT33-214 Datasheet |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
GAP3SLT33-214
في المخزن: 75030 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 75030 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2.2V @ 300mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 3300V (3.3kV) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AA |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0ns |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | DO-214AA, SMB |
| اسماء اخرى | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم | GAP3SLT33-214 |
| وصف موسع | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA |
| نوع الصمام الثنائي | Silicon Carbide Schottky |
| وصف | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10µA @ 3300V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 300mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 42pF @ 1V, 1MHz |
الآخرين
| اسماء اخرى | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 |
|---|---|
| باقة قياسية | 500 |
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
GAPM2054NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAPM2007NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP200VORIGINALNew Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through Holeرأيتحقيق -
GAPM2004NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAPM2055NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAPM2014NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAPM2030NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP201G-PLUSNew Stocks GAP201 G-PLUS QFNرأيتحقيق -
GAP05SLT80-220GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIALتحميلرأيUS$ 295.486تحقيق -
GAPM2012NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP21ORIGINALLow Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through Holeرأيتحقيق -
GAPM2070PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP07N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP100ORIGINALGAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceرأيتحقيق -
GAP04N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP34MDS4T0000POSIGAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low priceرأيتحقيق -
GAP3SLT33-220FPGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220تحميلرأيUS$ 10.984تحقيق -
GAP123ORIGINALGAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceرأيتحقيق -
GAP529N/YGAP529 N/Y SIP3 new date code and low priceرأيتحقيق -
GAP3010TOSHIBAGAP3010 SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق
الموزع من GeneSiC Semiconductor
- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.