الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > GAP3SLT33-220FP
صور كمرجع فقط اتصل بنا لمزيد من الصور
GAP3SLT33-220FP
| EXSHINE رقم القطعة: | EX-GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| الصانع رقم القطعة: | GAP3SLT33-220FP |
| الصانع / علامة تجارية: | GeneSiC Semiconductor |
| وصف مختصر: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| شرط: | New and unused, Original |
| تنزيل ورقة البيانات: | GAP3SLT33-220FP Datasheet |
| تطبيق: | - |
| وزن: | - |
| الاستبدال البديل: | - |
توفر الوقت الحقيقي ل
GAP3SLT33-220FP
في المخزن: 75210 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
في المخزن: 75210 يمكن شحن أجهزة الكمبيوتر في 1-2 أيام.
مخزون المستقبل: 12000 قطعة في 7-10 أيام.
مهلة الصانع: 8-10 أسابيع
- وصف
- دفع
- الشحن
- التعبئة والتغليف
معلمة المنتج
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7V @ 300mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 3300V (3.3kV) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220FP |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0ns |
| التعبئة والتغليف | Tube |
| حزمة / كيس | TO-220-2 Full Pack |
| اسماء اخرى | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم | GAP3SLT33-220FP |
| وصف موسع | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP |
| نوع الصمام الثنائي | Silicon Carbide Schottky |
| وصف | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5µA @ 3300V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 300mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 42pF @ 1V, 1MHz |
الآخرين
| اسماء اخرى | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
|---|---|
| باقة قياسية | 500 |
يمكنك اختيار خيارات الدفع أدناه. يرجى الاتصال بفريق المبيعات إذا كان لديك أي أسئلة.
|
|
T / T (تحويل مصرفي) الاستلام: 1-4 أيام. |
|
|
باي بال الاستلام: فورًا. |
|
|
الاتحاد الغربي الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
موني جرام الاستلام: 1-2 ساعات. |
|
|
Alipay الاستلام: فورًا. |
يمكنك اختيار خيارات الشحن أدناه ، اتصل بفريق المبيعات لدينا للتحقق من تكلفة الشحن إلى عنوانك.
إذا كنت لا ترغب في استخدام خدمة الشحن لدينا ، يمكنك أيضًا ترتيب الاستلام من مستودعاتنا أو الشحن عن طريق حساب البريد الخاص بك.
 |
دي إتش إل إكسبرس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
فيديكس اكسبريس وقت التسليم: 1-3 أيام. |
 |
UPS صريحة وقت التسليم: 2-4 أيام. |
 |
TNT EXPRESS وقت التسليم: 3-6 أيام. |
 |
EMS صريحة وقت التسليم: 7-10 أيام. |
المنتجات ذات الصلة
-
صورةمبدعين رقم الجزءمصنعينوصف مختصرورقة البياناتفي المخزنسعر السلعةاطلب عبر الإنترنت -
GAPM2054NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP200VORIGINALNew Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through Holeرأيتحقيق -
GAP34MDS4T0000POSIGAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low priceرأيتحقيق -
GAP3010TOSHIBAGAP3010 SMD or Through Hole Original Package Stockرأيتحقيق -
GAPM2095PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAPM2070PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP05SLT80-220GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIALتحميلرأيUS$ 295.486تحقيق -
GAPM2004NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP201G-PLUSNew Stocks GAP201 G-PLUS QFNرأيتحقيق -
GAPM2012NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP529N/YGAP529 N/Y SIP3 new date code and low priceرأيتحقيق -
GAP07N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP3SLT33-214GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214تحميلرأيUS$ 12.448تحقيق -
GAP123ORIGINALGAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceرأيتحقيق -
GAPM2014NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP100ORIGINALGAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceرأيتحقيق -
GAPM2030NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAP21ORIGINALLow Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through Holeرأيتحقيق -
GAPM2007NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق -
GAPM2055NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsرأيتحقيق
الموزع من GeneSiC Semiconductor
- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.